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NGTB35N65FL2WG

NGTB35N65FL2WG onsemi

ngtb35n65fl2w-d.pdf Hersteller: onsemi
IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
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Technische Details NGTB35N65FL2WG onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 68 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns, Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 125 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.

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NGTB35N65FL2WG NGTB35N65FL2WG Hersteller : onsemi ngtb35n65fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
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NGTB35N65FL2WG NGTB35N65FL2WG Hersteller : ON Semiconductor ngtb35n65fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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