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NGTB40N60L2WG

NGTB40N60L2WG ON Semiconductor

ngtb40n60l2w-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details NGTB40N60L2WG ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 73 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns, Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 228 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 417 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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NGTB40N60L2WG ONSEMI ONSM-S-A0013302803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG - 600V-40A FAST IGBT FSII T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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