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NGTB40N65IHRTG

NGTB40N65IHRTG ON Semiconductor

ngtb40n65ihrtg-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 405W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 74703 Stücke:
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Technische Details NGTB40N65IHRTG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 405W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NGTB40N65IHRTG NGTB40N65IHRTG onsemi ngtb40n65ihrtg-d.pdf Description: IGBT 650V 40A
Packaging: Tube
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4+5.57 EUR
30+3.26 EUR
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NGTB40N65IHRTG NGTB40N65IHRTG onsemi ngtb40n65ihrtg-d.pdf IGBTs 650V/40A MONOLITHIC RC IG
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.1 EUR
10+3.89 EUR
120+3.56 EUR
510+3 EUR
1020+2.76 EUR
2520+2.62 EUR
5010+2.51 EUR
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NGTB40N65IHRTG ONSEMI ONSM-S-A0013303054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 74703 Stücke:
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270+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
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NGTB40N65IHRTG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 650V 40A
Packaging: Tube
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AnzahlPrivatkunde
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30+3.26 EUR
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Hersteller: onsemi
IGBTs 650V/40A MONOLITHIC RC IG
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10+3.89 EUR
120+3.56 EUR
510+3 EUR
1020+2.76 EUR
2520+2.62 EUR
5010+2.51 EUR
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NGTB40N65IHRTG ONSM-S-A0013303054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 74703 Stücke:
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270+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
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