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NGTB40N65IHRWG ON Semiconductor


NGTB40N65IHR-D-1099517.pdf Hersteller: ON Semiconductor
IGBT Transistors 40A 650V MONOLITHIC RC IG
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Technische Details NGTB40N65IHRWG ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Switching Energy: 420µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 190 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 405 W.

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NGTB40N65IHRWG NGTB40N65IHRWG Hersteller : ON Semiconductor ngtb40n65ihr-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 405000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NGTB40N65IHRWG NGTB40N65IHRWG Hersteller : onsemi NGTB40N65IHRWG.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Switching Energy: 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 405 W
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