NGTB50N60L2WG ON Semiconductor
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Technische Details NGTB50N60L2WG ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 67 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns, Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 500 W.
Weitere Produktangebote NGTB50N60L2WG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| NGTB50N60L2WG | On Semiconductor |
 IGBT N-CH 600V 100A TO-247 Транзистори |
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NGTB50N60L2WG | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 67 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 500 W |
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NGTB50N60L2WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NGTB50N60L2WG |
|
Hersteller: On Semiconductor
IGBT N-CH 600V 100A TO-247 Транзистори
IGBT N-CH 600V 100A TO-247 Транзистори
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| NGTB50N60L2WG |
|
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 500 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 500 W
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| NGTB50N60L2WG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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