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NGTD20T120F2WP ON Semiconductor

ngtd20t120f2wp-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V WJAR
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Technische Details NGTD20T120F2WP ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: Die, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NGTD20T120F2WP Hersteller : onsemi ngtd20t120f2wp-d.pdf Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
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NGTD20T120F2WP Hersteller : onsemi NGTD20T120F2WP_D-1773611.pdf IGBT Transistors 1200V/25A CN35 FAST IGBT UNSAWN WAFER SALES
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