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NHDTA123JTR

NHDTA123JTR Nexperia

nhdta123jt_143zt_114yt_ser.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details NHDTA123JTR Nexperia

Description: NEXPERIA - NHDTA123JTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTA123JT Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NHDTA123JTR NHDTA123JTR Nexperia nhdta123jt_143zt_114yt_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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NHDTA123JTR NHDTA123JTR Nexperia USA Inc. NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
auf Bestellung 21000 Stücke:
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3000+0.073 EUR
6000+0.065 EUR
9000+0.061 EUR
15000+0.057 EUR
21000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NHDTA123JTR NHDTA123JTR Nexperia nhdta123jt_143zt_114yt_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 80V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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NHDTA123JTR NHDTA123JTR Nexperia USA Inc. NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 26390 Stücke:
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56+0.38 EUR
95+0.23 EUR
152+0.14 EUR
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NHDTA123JTR NHDTA123JTR Nexperia NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Digital Transistors SOT23 80V PNP RET BJT
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13+0.27 EUR
50+0.19 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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6834+0.095 EUR
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NHDTA123JTR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 26390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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95+0.23 EUR
152+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
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Digital Transistors SOT23 80V PNP RET BJT
auf Bestellung 8078 Stücke:
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8+0.45 EUR
13+0.27 EUR
50+0.19 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.077 EUR
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