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NHDTC123JTVL

NHDTC123JTVL Nexperia USA Inc.


NHDTC123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details NHDTC123JTVL Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NHDTC123JTVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTC123JT Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NHDTC123JTVL NHDTC123JTVL Hersteller : Nexperia USA Inc. NHDTC123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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NHDTC123JTVL NHDTC123JTVL Hersteller : NEXPERIA NHDTC123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTC123JTVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC123JT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9845 Stücke:
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NHDTC123JTVL NHDTC123JTVL Hersteller : NEXPERIA NHDTC123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTC123JTVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
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Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC123JT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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