NHPM120T3G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-216AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Powermite
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 0.75 EUR |
| 35+ | 0.61 EUR |
| 38+ | 0.56 EUR |
| 100+ | 0.38 EUR |
| 250+ | 0.31 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 2500+ | 0.2 EUR |
| 5000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details NHPM120T3G onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Powermite, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NHPM120T3G | ON Semiconductor |
Rectifiers PUF1A 200V IN PWRMIT |
auf Bestellung 3980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NHPM120T3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Rectifiers PUF1A 200V IN PWRMIT
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