NIMD6302R2 ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - NIMD6302R2 - NIMD6302R2, SINGLE MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details NIMD6302R2 ONSEMI
Description: NFET SO8D 30V .050R, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, Power Dissipation (Max): 2W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs (Max): 12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 16 V.
Weitere Produktangebote NIMD6302R2 nach Preis ab 2.06 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| NIMD6302R2 | Hersteller : onsemi |
Description: NFET SO8D 30V .050R Packaging: Bulk Part Status: Active Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Power Dissipation (Max): 2W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 16 V |
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| NIMD6302R2 | Hersteller : ON |
09+ |
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