Technische Details NJD35N04T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 45W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NJD35N04T4G nach Preis ab 0.9 EUR bis 3.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NJD35N04T4G | onsemi |
Darlington Transistors NPN DARL POWER TRAN |
auf Bestellung 2376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
NJD35N04T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 WtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 45W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
NJD35N04T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W |
auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
NJD35N04T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 WtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 45W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
| NJD35N04T4G |
|
auf Bestellung 4099 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NJD35N04T4G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors NPN DARL POWER TRAN
Darlington Transistors NPN DARL POWER TRAN
auf Bestellung 2376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.4 EUR |
| 10+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| 2500+ | 0.9 EUR |
| NJD35N04T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 45W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 45W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.44 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| NJD35N04T4G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.36 EUR |
| 10+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| NJD35N04T4G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 45W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 45W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 3.43 EUR |
| 96+ | 2.44 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| NJD35N04T4G |
![]() |
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)




