Produkte > ONSEMI > NJD35N04T4G
NJD35N04T4G

NJD35N04T4G onsemi

njd35n04-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.86 EUR
5000+0.80 EUR
7500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NJD35N04T4G onsemi

Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 45W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote NJD35N04T4G nach Preis ab 0.91 EUR bis 3.06 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NJD35N04T4G NJD35N04T4G Hersteller : ON Semiconductor njd35n04-d.pdf Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJD35N04T4G NJD35N04T4G Hersteller : onsemi njd35n04-d.pdf Darlington Transistors NPN DARL POWER TRAN
auf Bestellung 4959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.08 EUR
10+1.56 EUR
25+1.55 EUR
100+1.27 EUR
250+1.26 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJD35N04T4G NJD35N04T4G Hersteller : onsemi njd35n04-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
auf Bestellung 10746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.06 EUR
10+1.95 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJD35N04T4G NJD35N04T4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013669709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 45W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJD35N04T4G NJD35N04T4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013669709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 45W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJD35N04T4G njd35n04-d.pdf
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJD35N04T4G NJD35N04T4G Hersteller : ON Semiconductor njd35n04-d.pdf Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJD35N04T4G NJD35N04T4G Hersteller : ON Semiconductor njd35n04-d.pdf Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJD35N04T4G NJD35N04T4G Hersteller : ON Semiconductor njd35n04-d.pdf Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH