NJD35N04T4G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.86 EUR |
| 5000+ | 0.8 EUR |
| 7500+ | 0.79 EUR |
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Technische Details NJD35N04T4G onsemi
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 45W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NJD35N04T4G nach Preis ab 0.76 EUR bis 3.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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NJD35N04T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJD35N04T4G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors NPN DARL POWER TRAN |
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NJD35N04T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W |
auf Bestellung 10746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NJD35N04T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 45W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJD35N04T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJD35N04T4G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 350 V, 4 A, 45 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 90MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 45W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NJD35N04T4G |
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auf Bestellung 4099 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NJD35N04T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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NJD35N04T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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NJD35N04T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| NJD35N04T4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 350V; 4A; 45W; DPAK Polarisation: bipolar Case: DPAK Kind of transistor: Darlington Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector current: 4A Power dissipation: 45W Collector-emitter voltage: 350V |
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