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NJG1812ME4-TE1

NJG1812ME4-TE1 Nisshinbo


NJG1812ME4_E-1917082.pdf Hersteller: Nisshinbo
RF Switch ICs HP DPDT Switch GaAs 1.8V up to 3GHz
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Technische Details NJG1812ME4-TE1 Nisshinbo

Description: IC RF SWITCH DPDT 3GHZ 12EQFN, Features: DC Blocked, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-XFQFN Exposed Pad, Impedance: 50Ohm, Circuit: DPDT, RF Type: CDMA, GSM, LTE, UMTS, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C, Voltage - Supply: 2.4V ~ 5V, Insertion Loss: 0.45dB, Frequency Range: 3GHz, Test Frequency: 2.7GHz, Isolation: 17dB, Supplier Device Package: 12-EQFN (2x2).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NJG1812ME4-TE1 Hersteller : Nisshinbo Micro Devices Inc. NJG1812ME4_E.pdf Description: IC RF SWITCH DPDT 3GHZ 12EQFN
Features: DC Blocked
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFQFN Exposed Pad
Impedance: 50Ohm
Circuit: DPDT
RF Type: CDMA, GSM, LTE, UMTS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 2.4V ~ 5V
Insertion Loss: 0.45dB
Frequency Range: 3GHz
Test Frequency: 2.7GHz
Isolation: 17dB
Supplier Device Package: 12-EQFN (2x2)
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