NJL3281DG

NJL3281DG ON Semiconductor


njl3281d-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
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Technische Details NJL3281DG ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 260V 15A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-5, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-264, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V, Power - Max: 200 W.

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NJL3281DG Hersteller : onsemi NJL3281D_D-2318086.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN BIPPWR THERM TRAK
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
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