Produkte > ONSEMI > NJT4030PT1G
NJT4030PT1G

NJT4030PT1G onsemi

njt4030p-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
3000+0.32 EUR
5000+0.3 EUR
7000+0.28 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NJT4030PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NJT4030PT1G nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NJT4030PT1G NJT4030PT1G Hersteller : onsemi NJT4030P_D-1813233.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
auf Bestellung 9891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.12 EUR
10+0.73 EUR
100+0.48 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJT4030PT1G NJT4030PT1G Hersteller : onsemi njt4030p-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 15793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.32 EUR
22+0.83 EUR
100+0.53 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJT4030PT1G NJT4030PT1G Hersteller : ONSEMI 1796570.pdf Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJT4030PT1G NJT4030PT1G Hersteller : ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH