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NJT4030PT1G

NJT4030PT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NJT4030PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NJT4030PT1G NJT4030PT1G ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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5000+0.27 EUR
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NJT4030PT1G NJT4030PT1G ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NJT4030PT1G NJT4030PT1G ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NJT4030PT1G NJT4030PT1G onsemi njt4030p-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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3000+0.38 EUR
5000+0.36 EUR
7000+0.33 EUR
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462+0.37 EUR
536+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
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NJT4030PT1G NJT4030PT1G ON Semiconductor njt4030p-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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325+0.55 EUR
383+0.44 EUR
387+0.43 EUR
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462+0.32 EUR
536+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
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NJT4030PT1G NJT4030PT1G onsemi NJT4030P_D-1813233.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
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100+0.54 EUR
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5000+0.31 EUR
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NJT4030PT1G NJT4030PT1G onsemi njt4030p-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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NJT4030PT1G NJT4030PT1G ONSEMI njt4030p-d.pdf Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NJT4030PT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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3000+0.38 EUR
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7000+0.33 EUR
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459+0.38 EUR
462+0.37 EUR
536+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
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325+0.55 EUR
383+0.44 EUR
387+0.43 EUR
459+0.35 EUR
462+0.32 EUR
536+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
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Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
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AnzahlPrivatkunde
3+1.24 EUR
10+0.74 EUR
100+0.54 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.31 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 15793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.57 EUR
22+0.99 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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NJT4030PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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154+1.63 EUR
257+0.9 EUR
298+0.71 EUR
355+0.61 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
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