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NJVMJD112G

NJVMJD112G onsemi

mjd112-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 25MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
auf Bestellung 6246 Stücke:
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AnzahlPreis
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75+0.73 EUR
150+0.65 EUR
525+0.54 EUR
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2025+0.45 EUR
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Technische Details NJVMJD112G onsemi

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Power - Max: 1.75 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 25MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN - Darlington, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.

Weitere Produktangebote NJVMJD112G nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NJVMJD112G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 100V
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525+0.63 EUR
1050+0.44 EUR
2550+0.43 EUR
4950+0.39 EUR
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