
NJVMJD112G onsemi

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 6171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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10+ | 1.88 EUR |
75+ | 0.81 EUR |
150+ | 0.72 EUR |
525+ | 0.59 EUR |
1050+ | 0.54 EUR |
2025+ | 0.49 EUR |
5025+ | 0.44 EUR |
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Technische Details NJVMJD112G onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.
Weitere Produktangebote NJVMJD112G nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.19 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NJVMJD112G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NJVMJD112G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NJVMJD112G | Hersteller : ON Semiconductor |
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