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NJVMJD31CT4G-VF01 ON Semiconductor


onsm_s_a0002916981_1-2279943.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V TR
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Technische Details NJVMJD31CT4G-VF01 ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W.

Weitere Produktangebote NJVMJD31CT4G-VF01 nach Preis ab 0.4 EUR bis 0.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NJVMJD31CT4G-VF01 ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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186+0.95 EUR
223+0.76 EUR
226+0.73 EUR
320+0.49 EUR
323+0.46 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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