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NJVMJD31CT4G

NJVMJD31CT4G ON Semiconductor


mjd31-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details NJVMJD31CT4G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W, Qualification: AEC-Q101.

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NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G Hersteller : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
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NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G Hersteller : onsemi MJD31_D-1489348.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
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NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G Hersteller : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
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NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999E55828DB8BD820&compId=MJD31_MJD32.pdf?ci_sign=a4f587ef1f40b50a74314f0e1756618c1b232ad1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
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NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999E55828DB8BD820&compId=MJD31_MJD32.pdf?ci_sign=a4f587ef1f40b50a74314f0e1756618c1b232ad1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
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