Produkte > ONSEMI > NJVMJD45H11T4G

NJVMJD45H11T4G ONSEMI

Name: NJVMJD45H11T4G
Brand: ONSEMI
SKU: 3413303-6
Price: 211.50 EUR
Availability: InStock

ONSM-S-A0016015114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
90+	2.8 EUR
121+	1.93 EUR
176+	1.23 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details NJVMJD45H11T4G ONSEMI

Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote NJVMJD45H11T4G nach Preis ab 0.81 EUR bis 2.89 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Privatkunde

NJVMJD45H11T4G

ONSEMI

Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.8 EUR
121+	1.93 EUR
176+	1.23 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJVMJD45H11T4G

onsemi

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR

auf Bestellung 16782 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.84 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.86 EUR
2500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJVMJD45H11T4G

onsemi

Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.89 EUR
12+	1.82 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJVMJD45H11T4G

Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
100+	2.8 EUR
121+	1.93 EUR
176+	1.23 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJVMJD45H11T4G

Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR

auf Bestellung 16782 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
2+	2.84 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.86 EUR
2500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJVMJD45H11T4G

Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
8+	2.89 EUR
12+	1.82 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH