NJVMJD45H11T4G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 12+ | 1.53 EUR |
| 100+ | 1.22 EUR |
| 500+ | 1.03 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
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Technische Details NJVMJD45H11T4G onsemi
Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NJVMJD45H11T4G nach Preis ab 0.93 EUR bis 2.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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NJVMJD45H11T4G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt |
auf Bestellung 1577 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NJVMJD45H11T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJVMJD45H11T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NJVMJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NJVMJD45H11T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 |
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