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NJW1302G

NJW1302G ON Semiconductor

njw3281d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Technische Details NJW1302G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJW1302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NJW1302G NJW1302G Hersteller : ONSEMI njw3281-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO3P
Collector current: 15A
Current gain: 45...150
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.96 EUR
17+4.42 EUR
20+3.59 EUR
30+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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NJW1302G NJW1302G Hersteller : ONSEMI njw3281-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO3P
Collector current: 15A
Current gain: 45...150
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
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15+4.96 EUR
17+4.42 EUR
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NJW1302G NJW1302G Hersteller : onsemi NJW3281-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200W TO-3P PNP
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10+4.24 EUR
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NJW1302G NJW1302G Hersteller : onsemi njw3281-d.pdf Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3P-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 6795 Stücke:
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Anzahl Preis
3+8.11 EUR
30+4.54 EUR
120+3.75 EUR
510+3.17 EUR
1020+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NJW1302G NJW1302G Hersteller : ONSEMI njw3281-d.pdf Description: ONSEMI - NJW1302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NJW1302G NJW1302G Hersteller : ON Semiconductor njw3281-d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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NJW1302G NJW1302G Hersteller : ON Semiconductor njw3281d.pdf Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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NJW1302G Hersteller : Diodes Incorporated njw3281-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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