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NJW44H11G

NJW44H11G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Technische Details NJW44H11G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 10A TO-3P-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 85MHz, Supplier Device Package: TO-3P-3L, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 120 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-3P-3L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 120 W
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