NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.12 EUR |
| 10+ | 9.07 EUR |
| 100+ | 7.44 EUR |
| 500+ | 6.33 EUR |
| 800+ | 5.15 EUR |
| 2400+ | 5.09 EUR |
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Technische Details NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics
Description: RENESAS - NP100P06PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.
Weitere Produktangebote NP100P06PDG-E1-AY nach Preis ab 5.08 EUR bis 12.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NP100P06PDG-E1-AY | RENESAS |
Description: RENESAS - NP100P06PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm |
auf Bestellung 2343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NP100P06PDG-E1-AY |
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - NP100P06PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 100A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
Description: RENESAS - NP100P06PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 2343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 12.22 EUR |
| 28+ | 8.4 EUR |
| 100+ | 5.62 EUR |
| 500+ | 5.4 EUR |
| 1000+ | 5.08 EUR |