NP36P06KDG-E1-AY Renesas Electronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.74 EUR |
| 10+ | 3.72 EUR |
| 100+ | 2.57 EUR |
| 500+ | 1.98 EUR |
| 800+ | 1.87 EUR |
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Technische Details NP36P06KDG-E1-AY Renesas Electronics
Description: RENESAS - NP36P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.0295 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 56W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm.
Weitere Produktangebote NP36P06KDG-E1-AY nach Preis ab 2.19 EUR bis 6.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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NP36P06KDG-E1-AY | RENESAS |
 Description: RENESAS - NP36P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.0295 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 56W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm |
auf Bestellung 505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NP36P06KDG-E1-AY |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - NP36P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.0295 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
Description: RENESAS - NP36P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.0295 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.45 EUR |
| 60+ | 3.9 EUR |
| 100+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.19 EUR |