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NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G onsemi

dta114ed-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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Technische Details NSBA114EDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 338mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSBA114EDP6T5G NSBA114EDP6T5G onsemi dta114ed-d.pdf Digital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
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NSBA114EDP6T5G ONSEMI ONSM-S-A0003157569-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Digital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
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Description: ONSEMI - NSBA114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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