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Technische Details NSBA114EDXV6T1G onsemi
Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 10kΩ, Type of transistor: PNP x2, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.5W, Case: SOT563, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Base resistor: 10kΩ, Base-emitter resistor: 10kΩ, Manufacturer standard package: 4000pcs., Current gain: 35...60.
Weitere Produktangebote NSBA114EDXV6T1G nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NSBA114EDXV6T1G | onsemi |
 Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSBA114EDXV6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 107250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSBA114EDXV6T1G |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSBA114EDXV6T1G |
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Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP
Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.8 EUR |
| 10+ | 0.61 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.18 EUR |
| 4000+ | 0.15 EUR |
| 8000+ | 0.12 EUR |
| 24000+ | 0.11 EUR |
| NSBA114EDXV6T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 107250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8000+ | 0.19 EUR |
| NSBA114EDXV6T1G |
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auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)