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NSBC114EPDXV6T1G

NSBC114EPDXV6T1G onsemi

DTC114EP_D-1773663.pdf Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
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Technische Details NSBC114EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T1G Hersteller : onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor nsbc114epdxv6-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T1G Hersteller : onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
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Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
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