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NSBC114TDP6T5G

NSBC114TDP6T5G onsemi

dtc114td-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 7900 Stücke:
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Anzahl Preis
33+0.55 EUR
53+0.34 EUR
100+0.21 EUR
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1000+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
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Technische Details NSBC114TDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.

Weitere Produktangebote NSBC114TDP6T5G nach Preis ab 0.093 EUR bis 0.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NSBC114TDP6T5G Hersteller : onsemi DTC114TD-D.PDF Digital Transistors DUAL NBRT
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NSBC114TDP6T5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003157620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBC114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NSBC114TDP6T5G NSBC114TDP6T5G Hersteller : onsemi dtc114td-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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NSBC114TDP6T5G Hersteller : ON Semiconductor DTC114TD-D-462111.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
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