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NSBC114YDP6T5G

NSBC114YDP6T5G onsemi


dtc114yd-d.pdf Hersteller: onsemi
Digital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
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Technische Details NSBC114YDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSBC114YDP6T5G NSBC114YDP6T5G Hersteller : onsemi dtc114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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NSBC114YDP6T5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0004900022-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBC114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NSBC114YDP6T5G NSBC114YDP6T5G Hersteller : onsemi dtc114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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