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NSBC123EF3T5G

NSBC123EF3T5G onsemi

dtc123e-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 254 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Bulk
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Technische Details NSBC123EF3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Power - Max: 254 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SOT-1123, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1123, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSBC123EF3T5G ONSEMI ONSM-S-A0017606276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSBC123EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 469000 Stücke:
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NSBC123EF3T5G ONSM-S-A0017606276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC123EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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