Produkte > ONSEMI > NSBC123EF3T5G

NSBC123EF3T5G onsemi

Name: NSBC123EF3T5G
Brand: onsemi
SKU: 65549401-3
Price: 494.5499999999999 EUR
Availability: InStock

Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms

auf Bestellung 317000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3297+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3297

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details NSBC123EF3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1123, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-1123, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 254 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.

Weitere Produktangebote NSBC123EF3T5G

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
NSBC123EF3T5G	Hersteller : ONSEMI	Description: ONSEMI - NSBC123EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 469000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NSBC123EF3T5G	Hersteller : onsemi	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NSBC123EF3T5G	Hersteller : ON Semiconductor	Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH