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NSBC123JDP6T5G

NSBC123JDP6T5G onsemi

dtc123jd-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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Technische Details NSBC123JDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NSBC123JDP6T5G NSBC123JDP6T5G Hersteller : onsemi dtc123jd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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NSBC123JDP6T5G Hersteller : onsemi DTC123JD-D.PDF Digital Transistors DUAL NBRT
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NSBC123JDP6T5G Hersteller : ONSEMI RE_DSHEET_NSBC123JDP6T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - NSBC123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 256000 Stücke:
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NSBC123JDP6T5G Hersteller : ONSEMI dtc123jd-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 408mW; SOT963; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 408mW
Case: SOT963
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Quantity in set/package: 8000pcs.
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT
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