Produkte > ONSEMI > NSBC123JDP6T5G
NSBC123JDP6T5G

NSBC123JDP6T5G onsemi

dtc123jd-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.12 EUR
16000+0.11 EUR
24000+0.1 EUR
40000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSBC123JDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.

Weitere Produktangebote NSBC123JDP6T5G nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NSBC123JDP6T5G NSBC123JDP6T5G Hersteller : onsemi dtc123jd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 55925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.88 EUR
33+0.54 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC123JDP6T5G Hersteller : onsemi DTC123JD-D.PDF Digital Transistors DUAL NBRT
auf Bestellung 9499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.58 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC123JDP6T5G Hersteller : ONSEMI RE_DSHEET_NSBC123JDP6T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - NSBC123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 256000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH