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NSBC124EPDP6T5G

NSBC124EPDP6T5G onsemi

dtc124ep-d.pdf Hersteller: onsemi
Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT
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Technische Details NSBC124EPDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSBC124EPDP6T5G Hersteller : ONSEMI DTC124EP-D.PDF Description: ONSEMI - NSBC124EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NSBC124EPDP6T5G NSBC124EPDP6T5G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBC124EPDP6T5G NSBC124EPDP6T5G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBC124EPDP6T5G NSBC124EPDP6T5G Hersteller : onsemi dtc124ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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NSBC124EPDP6T5G NSBC124EPDP6T5G Hersteller : onsemi dtc124ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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