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NSBC124EPDXV6T1G

NSBC124EPDXV6T1G onsemi

dtc124ep-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 48000 Stücke:
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4000+0.10 EUR
8000+0.10 EUR
12000+0.09 EUR
20000+0.09 EUR
28000+0.08 EUR
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Technische Details NSBC124EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote NSBC124EPDXV6T1G nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NSBC124EPDXV6T1G NSBC124EPDXV6T1G Hersteller : onsemi dtc124ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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NSBC124EPDXV6T1G NSBC124EPDXV6T1G Hersteller : onsemi DTC124EP_D-2311008.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
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NSBC124EPDXV6T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 624297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NSBC124EPDXV6T1G NSBC124EPDXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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