Produkte > NEXPERIA > NSF030120L4A0Q
NSF030120L4A0Q

NSF030120L4A0Q Nexperia


Hersteller: Nexperia
MOSFETs NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L
auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+45.44 EUR
10+38.17 EUR
30+32.54 EUR
120+30.87 EUR
270+29.44 EUR
510+27.44 EUR
1020+23.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSF030120L4A0Q Nexperia

Description: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NSF030120L4A0Q nach Preis ab 23.05 EUR bis 30.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NSF030120L4A0Q NSF030120L4A0Q Hersteller : NEXPERIA Description: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L4A0Q NSF030120L4A0Q Hersteller : NEXPERIA Description: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L4A0Q Hersteller : Nexperia USA Inc. Description: NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.68 EUR
10+28.30 EUR
30+27.03 EUR
120+24.16 EUR
270+23.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L4A0Q NSF030120L4A0Q Hersteller : Nexperia nsf030120l4a0.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L4A0Q NSF030120L4A0Q Hersteller : Nexperia nsf030120l4a0.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH