| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 29.13 EUR |
| 10+ | 23.95 EUR |
| 100+ | 20.72 EUR |
| 800+ | 19.87 EUR |
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Technische Details NSF040120D7A0J Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NSF040120D7A0J nach Preis ab 19.31 EUR bis 33.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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NSF040120D7A0J | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA Supplier Device Package: TO-236-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V |
auf Bestellung 797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSF040120D7A0J | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSF040120D7A0J | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSF040120D7A0J | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263 Supplier Device Package: TO-236-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Packaging: Tape & Reel (TR) |
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