NSF040120L3A0Q NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 24.4 EUR |
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Technische Details NSF040120L3A0Q NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 319W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote NSF040120L3A0Q nach Preis ab 18.43 EUR bis 36.17 EUR
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NSF040120L3A0Q | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NSF040120L3A0Q | Hersteller : Nexperia |
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC |
auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSF040120L3A0Q | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube |
auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSF040120L3A0Q | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 319W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSF040120L3A0Q | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSF040120L3A0Q | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |