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NSF040120L3A0Q

NSF040120L3A0Q Nexperia

nsf040120l3a0.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Technische Details NSF040120L3A0Q Nexperia

Description: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 319W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q Hersteller : Nexperia USA Inc. NSF040120L3A0.pdf Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO
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NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q Hersteller : Nexperia NSF040120L3A0.pdf SiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
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NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q Hersteller : NEXPERIA 4023448.pdf Description: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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NSF040120L3A0Q Hersteller : NEXPERIA NSF040120L3A0.pdf NSF040120L3A0Q THT N channel transistors
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