NSF040120L3A0Q NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Technology: SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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Technische Details NSF040120L3A0Q NEXPERIA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W, Technology: SiC, Mounting: THT, Power dissipation: 313W, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 46A, On-state resistance: 60mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 95nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -10...22V, Pulsed drain current: 160A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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NSF040120L3A0Q | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W Technology: SiC Mounting: THT Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 160A |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSF040120L3A0Q | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube |
auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSF040120L3A0Q | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BIPOLAR |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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