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NSF040120L3A0Q

NSF040120L3A0Q Nexperia

nsf040120l3a0.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Technische Details NSF040120L3A0Q Nexperia

Description: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 319W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q Nexperia NSF040120L3A0.pdf SiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
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NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q NEXPERIA NSF040120L3A0.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
On-state resistance: 60mΩ
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 313W
Gate charge: 95nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
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NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q Nexperia USA Inc. NSF040120L3A0.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
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NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q NEXPERIA 4023448.pdf Description: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 319W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
On-state resistance: 60mΩ
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 313W
Gate charge: 95nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
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NSF040120L3A0Q
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
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NSF040120L3A0Q 4023448.pdf
NSF040120L3A0Q
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 319W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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6+43.07 EUR
10+35.37 EUR
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