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NSF040120L4A1Q

NSF040120L4A1Q Nexperia USA Inc.

NSF040120L4A1.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 53A TO247-4
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Technische Details NSF040120L4A1Q Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 234W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSF040120L4A1Q NSF040120L4A1Q Nexperia NSF040120L4A1.pdf SiC MOSFETs NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
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NSF040120L4A1Q NSF040120L4A1Q NEXPERIA NSF040120L4A1.pdf Description: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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NSF040120L4A1Q NSF040120L4A1Q NEXPERIA NSF040120L4A1.pdf Description: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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Hersteller: Nexperia
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Description: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
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Description: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
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