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NSF040120L4A1Q

NSF040120L4A1Q Nexperia

Hersteller: Nexperia
SiC MOSFETs 1200 V, 60 mΩ, N-channel SiC MOSFET
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Technische Details NSF040120L4A1Q Nexperia

Description: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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NSF040120L4A1Q NSF040120L4A1Q Hersteller : NEXPERIA NSF040120L4A1.pdf Description: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
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Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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NSF040120L4A1Q NSF040120L4A1Q Hersteller : NEXPERIA NSF040120L4A1.pdf Description: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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usEccn: EAR99
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NSF040120L4A1Q NSF040120L4A1Q Hersteller : Nexperia nsf040120l4a1.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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