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Technische Details NSF080120D7A0J Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 167W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm.
Weitere Produktangebote NSF080120D7A0J nach Preis ab 7.25 EUR bis 30.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NSF080120D7A0J | Nexperia |
 SiC MOSFETs NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSF080120D7A0J | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 167W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm |
auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSF080120D7A0J | Nexperia USA Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA Supplier Device Package: TO-236-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSF080120D7A0J | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 167W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm |
auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF080120D7A0J |
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Hersteller: Nexperia
SiC MOSFETs NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
SiC MOSFETs NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 19.98 EUR |
| 10+ | 13.86 EUR |
| 100+ | 11.27 EUR |
| 800+ | 7.25 EUR |
| NSF080120D7A0J |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
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euEccn: NLR
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Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 24.53 EUR |
| 12+ | 19.15 EUR |
| 50+ | 17.35 EUR |
| 100+ | 15.55 EUR |
| 250+ | 15.23 EUR |
| NSF080120D7A0J |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 25.87 EUR |
| 10+ | 18.11 EUR |
| 100+ | 14.92 EUR |
| NSF080120D7A0J |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 30.46 EUR |
| 10+ | 24.53 EUR |
| 12+ | 19.15 EUR |
| 50+ | 17.35 EUR |
| 100+ | 15.55 EUR |
| 250+ | 15.23 EUR |