NSF080120L3A0Q Nexperia
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Technische Details NSF080120L3A0Q Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
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NSF080120L3A0Q | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R |
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NSF080120L3A0Q | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 183W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NSF080120L3A0Q | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 183W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSF080120L3A0Q | Hersteller : Nexperia |
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC |
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NSF080120L3A0Q | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSF080120L3A0Q | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSF080120L3A0Q | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R |
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