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NSF080120L3A0Q

NSF080120L3A0Q NEXPERIA

NSF080120L3A0.pdf Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details NSF080120L3A0Q NEXPERIA

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 25A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 183W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -10...22V, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: THT, Gate charge: 52nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Hersteller : NEXPERIA NSF080120L3A0.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Hersteller : Nexperia NSF080120L3A0-3377694.pdf MOSFET BIPOLAR
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NSF080120L3A0Q Hersteller : Nexperia USA Inc. Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
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