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Technische Details NSF080120L4A0Q Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF080120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 183W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote NSF080120L4A0Q nach Preis ab 11.57 EUR bis 27.33 EUR
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NSF080120L4A0Q | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSF080120L4A0Q | Hersteller : Nexperia |
SiC MOSFETs NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSF080120L4A0Q | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSF080120L4A0Q | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF080120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF080120L4A0Q | Hersteller : NEXPERIA |
N-channel MOSFET |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSF080120L4A0Q | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSF080120L4A0Q | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A |
Produkt ist nicht verfügbar |