NSS12200LT1G
Produktcode: 113923
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR |
auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3 |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSS12200LT1G | Hersteller : ON |
10+ROHS SOT-23 |
auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSS12200LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |