NSS12200LT1G ON Semiconductor
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Technische Details NSS12200LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NSS12200LT1G nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.95 EUR
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS12200LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR |
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NSS12200LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3 |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSS12200LT1G | Hersteller : ON |
10+ROHS SOT-23 |
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| NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NSS12200LT1G Produktcode: 113923
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSS12200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS12200LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3 |
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