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NSS12200LT1G

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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NSS12200LT1G NSS12200LT1G ON Semiconductor nss12200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS12200LT1G NSS12200LT1G ONSEMI 2337905.pdf Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NSS12200LT1G NSS12200LT1G ONSEMI 2337905.pdf Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NSS12200LT1G NSS12200LT1G onsemi nss12200l-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
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NSS12200LT1G NSS12200LT1G onsemi nss12200l-d.pdf Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
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NSS12200LT1G ON nss12200l-d.pdf 10+ROHS SOT-23
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NSS12200LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
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NSS12200LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NSS12200LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NSS12200LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
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10+0.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NSS12200LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
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Hersteller: ON
10+ROHS SOT-23
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