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NSS12201LT1G

NSS12201LT1G onsemi

nss12201l-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27000 Stücke:
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Technische Details NSS12201LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSS12201LT1G NSS12201LT1G onsemi nss12201l-d.pdf Description: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 28745 Stücke:
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24+0.88 EUR
31+0.69 EUR
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NSS12201LT1G NSS12201LT1G ONSEMI nss12201l-d.pdf Description: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.98 EUR
358+0.65 EUR
589+0.37 EUR
681+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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NSS12201LT1G NSS12201LT1G ONSEMI nss12201l-d.pdf Description: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 2A
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Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NSS12201LT1G NSS12201LT1G onsemi NSS12201L_D-2318323.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 4.0A
auf Bestellung 76274 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NSS12201LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Description: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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