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NSS1C200LT1G

NSS1C200LT1G onsemi

nss1c200l-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details NSS1C200LT1G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3, Power - Max: 490 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G ON Semiconductor nss1c200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G onsemi NSS1C200L_D-1813488.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
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Power - Max: 490 mW
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Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
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Transistor Type: PNP
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