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NSS1C200MZ4T1G

NSS1C200MZ4T1G onsemi

nss1c200mz4-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.48 EUR
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Technische Details NSS1C200MZ4T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.92 EUR
242+0.71 EUR
250+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
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NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.05 EUR
189+0.89 EUR
191+0.84 EUR
242+0.64 EUR
250+0.62 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G onsemi NSS1C200MZ4_D-2318780.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
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10+1.06 EUR
100+0.82 EUR
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1000+0.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G onsemi nss1c200mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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500+0.58 EUR
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NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G ONSEMI 1925060.pdf Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
217+1.07 EUR
322+0.67 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 2A
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Bauform - Transistor: SOT-223
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Part Status: Active
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Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
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Dauer-Kollektorstrom: 2A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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