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NSS1C200MZ4T1G

NSS1C200MZ4T1G onsemi

nss1c200mz4-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
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Technische Details NSS1C200MZ4T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 150, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G Hersteller : ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G Hersteller : ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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167+0.94 EUR
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NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G Hersteller : onsemi nss1c200mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 6069 Stücke:
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17+1.06 EUR
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NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G Hersteller : onsemi NSS1C200MZ4_D-2318780.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
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500+ 0.81 EUR
1000+ 0.65 EUR
2000+ 0.56 EUR
10000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 35
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G Hersteller : ONSEMI 1925060.pdf Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G Hersteller : ONSEMI 1925060.pdf Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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NSS1C200MZ4T1G Hersteller : ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf
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NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G Hersteller : ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G Hersteller : ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS1C200MZ4T1G Hersteller : Diodes Incorporated nss1c200mz4-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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