NSS1C201MZ4T1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
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Technische Details NSS1C201MZ4T1G onsemi
Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NSS1C201MZ4T1G nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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NSS1C201MZ4T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans. |
auf Bestellung 6533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 8039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSS1C201MZ4T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 152+ | 1.14 EUR |
| 198+ | 0.87 EUR |
| 250+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| 3000+ | 0.45 EUR |
| NSS1C201MZ4T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 132+ | 1.32 EUR |
| 151+ | 1.12 EUR |
| 152+ | 1.06 EUR |
| 198+ | 0.79 EUR |
| 250+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 3000+ | 0.38 EUR |
| NSS1C201MZ4T1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.
Bipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.
auf Bestellung 6533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.54 EUR |
| 10+ | 1.36 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| 2000+ | 0.6 EUR |
| 10000+ | 0.54 EUR |
| NSS1C201MZ4T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 142+ | 1.76 EUR |
| 174+ | 1.33 EUR |
| 283+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| NSS1C201MZ4T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 1.84 EUR |
| 19+ | 1.15 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| NSS1C201MZ4T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 120+ | 2.09 EUR |
| 142+ | 1.64 EUR |
| 203+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |




