Produkte > ONSEMI > NSS1C201MZ4T1G
NSS1C201MZ4T1G

NSS1C201MZ4T1G onsemi

nss1c201mz4-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.6 EUR
2000+ 0.53 EUR
5000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSS1C201MZ4T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote NSS1C201MZ4T1G nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.91 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Hersteller : ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
152+1.03 EUR
198+ 0.76 EUR
250+ 0.73 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.42 EUR
3000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 152
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Hersteller : ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
132+1.19 EUR
151+ 1 EUR
152+ 0.96 EUR
198+ 0.7 EUR
250+ 0.67 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 132
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Hersteller : onsemi nss1c201mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 9388 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+1.59 EUR
20+ 1.35 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Hersteller : onsemi NSS1C201MZ4_D-2318371.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.
auf Bestellung 6533 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+1.91 EUR
31+ 1.68 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.81 EUR
2000+ 0.74 EUR
10000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Hersteller : ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Hersteller : ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C201MZ4T1G Hersteller : Diodes Incorporated nss1c201mz4-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar