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NSS1C300ET4G

NSS1C300ET4G onsemi

nss1c300e-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 22500 Stücke:
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Technische Details NSS1C300ET4G onsemi

Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G Hersteller : onsemi nss1c300e-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
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100+ 1.33 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.92 EUR
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NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G Hersteller : onsemi NSS1C300E_D-2318372.pdf Bipolar Transistors - BJT 100 V, 3 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
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25+2.08 EUR
31+ 1.71 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.92 EUR
2500+ 0.87 EUR
5000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSS1C300ET4G Hersteller : ON Semiconductor nss1c300e-d.pdf
auf Bestellung 1863 Stücke:
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NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G Hersteller : ONSEMI 2337906.pdf Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 33
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G Hersteller : ONSEMI 2337906.pdf Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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NSS1C300ET4G NSS1C300ET4G Hersteller : ON Semiconductor nss1c300e-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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