Produkte > ONSEMI > NSS1C301ET4G
NSS1C301ET4G

NSS1C301ET4G ONSEMI

ONSM-S-A0011416989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
164+1.52 EUR
195+1.19 EUR
275+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSS1C301ET4G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote NSS1C301ET4G nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSS1C301ET4G NSS1C301ET4G onsemi NSS1C301E-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
auf Bestellung 3052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS1C301ET4G NSS1C301ET4G onsemi nss1c301e-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
18+1.17 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS1C301ET4G ON Semiconductor nss1c301e-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.23 EUR
167+1.02 EUR
175+0.94 EUR
219+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS1C301ET4G ONN nss1c301e-d.pdf
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS1C301ET4G NSS1C301E-D.PDF
NSS1C301ET4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
auf Bestellung 3052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.87 EUR
10+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS1C301ET4G nss1c301e-d.pdf
NSS1C301ET4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.87 EUR
18+1.17 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS1C301ET4G nss1c301e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
144+1.23 EUR
167+1.02 EUR
175+0.94 EUR
219+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS1C301ET4G nss1c301e-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH