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NSS20101JT1G

NSS20101JT1G onsemi

nss20101j-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 1A SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
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Technische Details NSS20101JT1G onsemi

Description: TRANS NPN 20V 1A SC89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 350MHz, Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 300 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSS20101JT1G NSS20101JT1G Hersteller : ON Semiconductor nss20101j-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 1798 Stücke:
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NSS20101JT1G NSS20101JT1G Hersteller : ON Semiconductor nss20101j-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
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NSS20101JT1G NSS20101JT1G Hersteller : onsemi nss20101j-d.pdf Description: TRANS NPN 20V 1A SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
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NSS20101JT1G NSS20101JT1G Hersteller : onsemi NSS20101J_D-2318513.pdf Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
auf Bestellung 2374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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5+0.64 EUR
10+ 0.43 EUR
100+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.097 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.076 EUR
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NSS20101JT1G NSS20101JT1G Hersteller : ON Semiconductor nss20101j-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
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NSS20101JT1G NSS20101JT1G Hersteller : ON Semiconductor nss20101j-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
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