NSS20101JT1G ON Semiconductor
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Technische Details NSS20101JT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 350MHz, Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 300 mW.
Weitere Produktangebote NSS20101JT1G nach Preis ab 0.079 EUR bis 0.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NSS20101JT1G | onsemi |
 Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20101JT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 1798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20101JT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) |
auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSS20101JT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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| 2000+ | 0.27 EUR |
| NSS20101JT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 393+ | 0.45 EUR |
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| 514+ | 0.32 EUR |
| 1048+ | 0.15 EUR |
| 1058+ | 0.14 EUR |
| 1780+ | 0.079 EUR |
| NSS20101JT1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 6+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.48 EUR |
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| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.11 EUR |
| 6000+ | 0.099 EUR |