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NSS20200LT1G

NSS20200LT1G ON Semiconductor

nss20200l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NSS20200LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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NSS20200LT1G NSS20200LT1G Hersteller : onsemi nss20200l-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
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NSS20200LT1G NSS20200LT1G Hersteller : ON Semiconductor nss20200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS20200LT1G NSS20200LT1G Hersteller : onsemi nss20200l-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
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Mindestbestellmenge: 31
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NSS20200LT1G NSS20200LT1G Hersteller : onsemi nss20200l-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 13766 Stücke:
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4+0.80 EUR
10+0.50 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NSS20200LT1G NSS20200LT1G Hersteller : ONSEMI 1840610.pdf Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3003 Stücke:
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NSS20200LT1G NSS20200LT1G Hersteller : ONSEMI 1840610.pdf Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NSS20200LT1G NSS20200LT1G Hersteller : ON Semiconductor nss20200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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