Produkte > ONSEMI > NSS20501UW3T2G
NSS20501UW3T2G

NSS20501UW3T2G onsemi


nss20501uw3-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.34 EUR
6000+ 0.32 EUR
9000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSS20501UW3T2G onsemi

Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote NSS20501UW3T2G nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.04 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NSS20501UW3T2G NSS20501UW3T2G Hersteller : onsemi nss20501uw3-d.pdf Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 25915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+1 EUR
21+ 0.86 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NSS20501UW3T2G NSS20501UW3T2G Hersteller : onsemi NSS20501UW3_D-2318401.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A
auf Bestellung 118031 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.04 EUR
58+ 0.9 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.48 EUR
3000+ 0.44 EUR
9000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NSS20501UW3T2G NSS20501UW3T2G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013300102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS20501UW3T2G nss20501uw3-d.pdf
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS20501UW3T2G NSS20501UW3T2G Hersteller : ON Semiconductor nss20501uw3-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar