Technische Details NSS20501UW3T2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NSS20501UW3T2G nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 5987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 5987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20501UW3T2G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A |
auf Bestellung 3366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20501UW3T2G | onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW |
auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20501UW3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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NSS20501UW3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 42 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSS20501UW3T2G |
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auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSS20501UW3T2G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.45 EUR |
| 6000+ | 0.4 EUR |
| NSS20501UW3T2G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 180+ | 0.98 EUR |
| 240+ | 0.73 EUR |
| 250+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 3000+ | 0.37 EUR |
| NSS20501UW3T2G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 151+ | 1.17 EUR |
| 178+ | 0.95 EUR |
| 180+ | 0.9 EUR |
| 240+ | 0.65 EUR |
| 250+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 3000+ | 0.31 EUR |
| NSS20501UW3T2G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A
Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A
auf Bestellung 3366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.44 EUR |
| 10+ | 0.9 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 3000+ | 0.38 EUR |
| 6000+ | 0.36 EUR |
| NSS20501UW3T2G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.59 EUR |
| 22+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| NSS20501UW3T2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NSS20501UW3T2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NSS20501UW3T2G |
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auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)