NSS30100LT1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
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Technische Details NSS30100LT1G onsemi
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NSS30100LT1G nach Preis ab 0.13 EUR bis 1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NSS30100LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount |
auf Bestellung 5351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat |
auf Bestellung 3537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 8590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 8590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSS30100LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 315927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSS30100LT1G | ON |
09+ |
auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSS30100LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 409+ | 0.43 EUR |
| 620+ | 0.29 EUR |
| 627+ | 0.27 EUR |
| 633+ | 0.26 EUR |
| 1092+ | 0.15 EUR |
| NSS30100LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 291+ | 0.61 EUR |
| 347+ | 0.49 EUR |
| 409+ | 0.4 EUR |
| 620+ | 0.25 EUR |
| 627+ | 0.24 EUR |
| 633+ | 0.23 EUR |
| 1092+ | 0.13 EUR |
| NSS30100LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 310 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 310 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 5351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 0.77 EUR |
| 41+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| NSS30100LT1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
auf Bestellung 3537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.8 EUR |
| 10+ | 0.58 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.2 EUR |
| NSS30100LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 1 EUR |
| 332+ | 0.7 EUR |
| 503+ | 0.43 EUR |
| 730+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 5000+ | 0.23 EUR |
| NSS30100LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 1 EUR |
| 332+ | 0.7 EUR |
| 503+ | 0.43 EUR |
| 730+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 5000+ | 0.23 EUR |
| NSS30100LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 315927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6000+ | 0.24 EUR |
| NSS30100LT1G |
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Hersteller: ON
09+
09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)




