NSS30100LT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 270000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details NSS30100LT1G onsemi
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote NSS30100LT1G nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NSS30100LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW |
auf Bestellung 272679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat |
auf Bestellung 3537 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSS30100LT1G | Hersteller : ON |
09+ |
auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NSS30100LT1G | Hersteller : ON |
SOT23 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NSS30100LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 315927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSS30100LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |