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NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G onsemi

NSS35200MR6_D-2318605.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
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Technische Details NSS35200MR6T1G onsemi

Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Power - Max: 625 mW.

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NSS35200MR6T1G Hersteller : ON nss35200mr6-d.pdf 07+;
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NSS35200MR6T1G NSS35200MR6T1G Hersteller : onsemi nss35200mr6-d.pdf Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
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NSS35200MR6T1G NSS35200MR6T1G Hersteller : onsemi nss35200mr6-d.pdf Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
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Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
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